Control over Patterning of Organic Semiconductors: Step-Edge-Induced Area-Selective Growth
Wang WC, Du C, Zhong DY, Hirtz M, Wang Y, Lu N, Wu LX, Ebeling D, Li LQ, Fuchs H, Chi LF
Forschungsartikel (Zeitschrift) | Peer reviewedZusammenfassung
A method concerning step-edge-induced area-selective growth for the patterning of aromatic organic molecules is proposed. Based on such a growth mechanism, crack-free, organic crystalline films and the growth of different molecules at defined locations can be achieved. The figure shows a schematic representation of the separation of molecules by nucleation-sites recognition.
Details zur Publikation
Fachzeitschrift: Advanced Materials (Adv. Mat.)
Jahrgang / Bandnr. / Volume: 21
Ausgabe / Heftnr. / Issue: 46
Seitenbereich: 4721null
Status: Veröffentlicht
Veröffentlichungsjahr: 2009 (11.12.2009)
Sprache, in der die Publikation verfasst ist: Englisch
Stichwörter: organic field-effect transistors; organic semiconductors; patterning
Autor*innen der Universität Münster
| Chi, Lifeng | Arbeitsgruppe Grenzflächenphysik (Prof. Fuchs) |
| Du, Chuan | Physikalisches Institut (PI) |
| Fuchs, Harald | Arbeitsgruppe Grenzflächenphysik (Prof. Fuchs) |
| Hirtz, Michael | Physikalisches Institut (PI) |
| Li, Liqiang | Physikalisches Institut (PI) |
| Wang, Wenchong | Arbeitsgruppe Grenzflächenphysik (Prof. Fuchs) |
| Zhong, Dingyong | Physikalisches Institut (PI) |