Reversible uniaxial strain tuning in atomically thin WSe2
Schmidt, R; Niehues, I; Schneider, R; Drüppel, M; Deilmann, T; Rohlfing, M; Michaelis de Vasconcellos, S; Castellanos-Gomez, A; Bratschitsch, R
Forschungsartikel (Zeitschrift) | Peer reviewedDetails zur Publikation
Fachzeitschrift: 2D Materials (2D Mater)
Jahrgang / Bandnr. / Volume: 3
Artikelnummer: 021011
Status: Veröffentlicht
Veröffentlichungsjahr: 2016
Stichwörter: strain, 2D semiconductor, exciton
Autor*innen der Universität Münster
| Bratschitsch, Rudolf | Professur für Experimentalphysik - Festkörper-Quantenoptik/Nanophotonik (Prof. Bratschitsch) |
| Deilmann, Thorsten | Professur für Festkörpertheorie (Prof. Rohlfing) |
| Drüppel, Matthias | Institut für Festkörpertheorie |
| Michaelis de Vasconcellos, Steffen | Professur für Experimentalphysik - Festkörper-Quantenoptik/Nanophotonik (Prof. Bratschitsch) |
| Niehues, Iris | Juniorprofessur für Experimentelle Physik (Prof. Niehues) |
| Rohlfing, Michael | Professur für Festkörpertheorie (Prof. Rohlfing) |
| Schmidt, Robert | Professur für Experimentalphysik - Festkörper-Quantenoptik/Nanophotonik (Prof. Bratschitsch) |
| Schneider, Robert | Professur für Experimentalphysik - Festkörper-Quantenoptik/Nanophotonik (Prof. Bratschitsch) |