Reversible uniaxial strain tuning in atomically thin WSe2

Schmidt, R; Niehues, I; Schneider, R; Drüppel, M; Deilmann, T; Rohlfing, M; Michaelis de Vasconcellos, S; Castellanos-Gomez, A; Bratschitsch, R

Forschungsartikel (Zeitschrift) | Peer reviewed

Details zur Publikation

Fachzeitschrift2D Materials (2D Mater)
Jahrgang / Bandnr. / Volume3
Artikelnummer021011
StatusVeröffentlicht
Veröffentlichungsjahr2016
Stichwörterstrain, 2D semiconductor, exciton

Autor*innen der Universität Münster

Bratschitsch, Rudolf
Deilmann, Thorsten
Drüppel, Matthias
Michaelis de Vasconcellos, Steffen
Niehues, Iris
Rohlfing, Michael
Schmidt, Robert
Schneider, Robert