Defect distribution in boron doped silicon nanostructures characterized by means of scanning spreading resistance microscopy
Prüßing J, Böckendorf T, Hamdana G, Peiner E, Bracht H
Forschungsartikel (Zeitschrift) | Peer reviewedDetails zur Publikation
Fachzeitschrift: Journal of Applied Physics
Jahrgang / Bandnr. / Volume: 127
Status: Veröffentlicht
Veröffentlichungsjahr: 2020
Sprache, in der die Publikation verfasst ist: Englisch
DOI: 10.1063/1.5134558
Autor*innen der Universität Münster
| Böckendorf, Tim | Professur für Materialphysik (Prof. Wilde) |
| Bracht, Hartmut | Institut für Materialphysik |
| Prüßing, Jan Kristen | Professur für Materialphysik (Prof. Wilde) |