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Function by defects at the atomic scale - New concepts for non-volatile memories
Waser R, Dittmann R, Salinga M, Wuttig M
Forschungsartikel (Zeitschrift)
| Peer reviewed
Details zur Publikation
Fachzeitschrift:
Solid-State Electronics
Jahrgang / Bandnr. / Volume:
54
Ausgabe / Heftnr. / Issue:
9
Seitenbereich:
830-840
Status:
Veröffentlicht
Veröffentlichungsjahr:
2010
Sprache, in der die Publikation verfasst ist:
Englisch
DOI:
10.1016/j.sse.2010.04.043
Autor*innen der Universität Münster
Salinga
,
Martin
Professur für Experimentelle Physik mit der Ausrichtung Materials Science (Prof. Salinga)