Function by defects at the atomic scale - New concepts for non-volatile memories

Waser R, Dittmann R, Salinga M, Wuttig M

Forschungsartikel (Zeitschrift) | Peer reviewed

Details zur Publikation

FachzeitschriftSolid-State Electronics
Jahrgang / Bandnr. / Volume54
Ausgabe / Heftnr. / Issue9
Seitenbereich830-840
StatusVeröffentlicht
Veröffentlichungsjahr2010
Sprache, in der die Publikation verfasst istEnglisch
DOI10.1016/j.sse.2010.04.043

Autor*innen der Universität Münster

Salinga, Martin
Professur für Experimentelle Physik mit der Ausrichtung Materials Science (Prof. Salinga)