Topological insulators Bi2Se3, Bi2Te3, and Sb2Te3: Electronic and topological properties of surfaces and thin films from DFT and GW calculations

Grunddaten zum Promotionsverfahren

Promotionsverfahren erfolgt(e) an: Promotionsverfahren an der Universität Münster
Zeitraum01.10.2012 - 15.07.2016
Statusabgeschlossen
Promovend*inFörster, Tobias
PromotionsfachPhysik
AbschlussgradDr. rer. nat.
Form der Dissertationsschriftmonographisch
Verleihender FachbereichFachbereich 11 - Physik
Betreuer*innenKrüger, Peter; Rohlfing, Michael; Donath, Markus
Gutachter*innenRohlfing, Michael; Donath, Markus

Promovend*in an der Universität Münster

Förster, Tobias

Betreuung an der Universität Münster

Donath, Markus
Krüger, Peter
Rohlfing, Michael