SFB 458 B16: Ionentransport und Grenzflächenreaktion in amorphen Dünnschichten

Grunddaten zu diesem Projekt

Art des ProjektesTeilprojekt in DFG-Verbund koordiniert an der Universität Münster
Laufzeit an der Universität Münster02.12.2005 - 31.12.2009 | 1. Förderperiode

Beschreibung

In Teilprojekt B16 sollen dünne Schichten von Netzwerk-Oxidgläsern mittels der Ionenstrahl­sputtertechnik hergestellt werden. Die elektrischen Eigenschaften dieser Schichten werden im direkten Vergleich zum massiven Material analysiert. Durch eine Kombination von Transmissions- und Rasterelektronenmikroskopie sowie von Impedanzspektroskopie sollen die strukturellen Mechanismen des Ionentransports innerhalb der Glasschicht, besonders aber an den Grenzflächen zu metallischen Elektroden aufgedeckt werden. Ambitioniertes Fernziel ist die Herstellung von Dünnschichtbatteriemodellen, an denen die mikroskopischen Vorgänge bei der Be- und Entladung studiert werden sollen.

StichwörterIonentransport; Grenzflächenreaktion; amorphe Dünnschichten
Webseite des Projektshttp://www.uni-muenster.de/Chemie.pc/sfb458/groupb.html
FörderkennzeichenSFB 458/3-2006
Mittelgeber / Förderformat
  • DFG - Sonderforschungsbereich (SFB)

Projektleitung der Universität Münster

Schmitz, Guido

Antragsteller*innen der Universität Münster

Schmitz, Guido

Zugehöriges Hauptprojekt

Laufzeit: 01.01.2000 - 31.12.2009 | 2. Förderperiode
Gefördert durch: DFG - Sonderforschungsbereich
Art des Projekts: DFG-Hauptprojekt koordiniert an der Universität Münster