Diffusion of boron in germanium at 800–900 °C revisited

Kipke F, Südkamp T, Prüßing J, Bougeard D, Bracht H (2020)

In: Journal of Applied Physics, 127.

Forschungsartikel (Zeitschrift)

Towards fabrication of 3D isotopically modulated vertical silicon nanowires in selective areas by nanosphere lithography

Hamdana G., Südkamp T., Descoins M., Mangelinck D., Caccamo L., Bertke M., Wasisto H., Bracht H., Peiner E. (2017)

In: Microelectronic Engineering, 179(null).

Forschungsartikel (Zeitschrift)

Vacancy-donor complexes in highly n-type Ge doped with As, P and Sb

Kujala J., Südkamp T., Slotte J., Makkonen I., Tuomisto F., Bracht H. (2016)

In: Journal of Physics: Condensed Matter, 28(33).

Forschungsartikel (Zeitschrift)

Response to "Comment on 'Diffusion of n-type dopants in germanium' " [Appl. Phys. Rev. 2, 036101 (2015)]

Bracht H., Südkamp T., Radek M., Chroneos A. (2015)

In: ((Bitte Journal prüfen)), 2(3).

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Diffusion of boron in germanium at 800–900 °C revisited Kipke F, Südkamp T, Prüßing J, Bougeard D, Bracht H (2020) In: Journal of Applied Physics, 127. Forschungsartikel (Zeitschrift)
Self-diffusion in single crystalline silicon nanowires Südkamp T., Hamdana G., Descoins M., Mangelinck D., Wasisto H., Peiner E., Bracht H. (2018) In: Journal of Applied Physics, 123(16). Forschungsartikel (Zeitschrift)
Towards fabrication of 3D isotopically modulated vertical silicon nanowires in selective areas by nanosphere lithography Hamdana G., Südkamp T., Descoins M., Mangelinck D., Caccamo L., Bertke M., Wasisto H., Bracht H., Peiner E. (2017) In: Microelectronic Engineering, 179(null). Forschungsartikel (Zeitschrift)
Large-area fabrication of silicon nanostructures by templated nanoparticle arrays Hamdana G., Bertke M., Südkamp T., Bracht H., Wasisto H., Peiner E. (2017) In: (Hrsg.), . . Forschungsartikel in Sammelband (Konferenz)
Vacancy-donor complexes in highly n-type Ge doped with As, P and Sb Kujala J., Südkamp T., Slotte J., Makkonen I., Tuomisto F., Bracht H. (2016) In: Journal of Physics: Condensed Matter, 28(33). Forschungsartikel (Zeitschrift)
Self-diffusion in crystalline silicon: A single diffusion activation enthalpy down to 755 C Südkamp T., Bracht H. (2016) In: Physical Review B, 94(12). Forschungsartikel (Zeitschrift)
Response to "Comment on 'Diffusion of n-type dopants in germanium' " [Appl. Phys. Rev. 2, 036101 (2015)] Bracht H., Südkamp T., Radek M., Chroneos A. (2015) In: ((Bitte Journal prüfen)), 2(3). Rezension (Zeitschrift)
Doping dependence of self-diffusion in germanium and the charge states of vacancies Südkamp T., Bracht H., Impellizzeri G., Lundsgaard Hansen J., Nylandsted Larsen A., Haller E. (2013) In: Applied Physics Letters, 102(24). Forschungsartikel (Zeitschrift)