Diffusion of boron in germanium at 800–900 °C revisited

Kipke F, Südkamp T, Prüßing J, Bougeard D, Bracht H (2020)

In: Journal of Applied Physics, 127. doi:10.1063/1.5134537

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Towards fabrication of 3D isotopically modulated vertical silicon nanowires in selective areas by nanosphere lithography

Hamdana G., Südkamp T., Descoins M., Mangelinck D., Caccamo L., Bertke M., Wasisto H., Bracht H., Peiner E. (2017)

In: Microelectronic Engineering, 179(null), 74-82. doi:10.1016/j.mee.2017.04.030

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Vacancy-donor complexes in highly n-type Ge doped with As, P and Sb

Kujala J., Südkamp T., Slotte J., Makkonen I., Tuomisto F., Bracht H. (2016)

In: Journal of Physics: Condensed Matter, 28(33). doi:10.1088/0953-8984/28/33/335801

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Response to "Comment on 'Diffusion of n-type dopants in germanium' " [Appl. Phys. Rev. 2, 036101 (2015)]

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Diffusion of boron in germanium at 800–900 °C revisited Kipke F, Südkamp T, Prüßing J, Bougeard D, Bracht H (2020) In: Journal of Applied Physics, 127. doi:10.1063/1.5134537 Forschungsartikel (Zeitschrift) \| Peer reviewed \| Veröffentlicht
Self-diffusion in single crystalline silicon nanowires Südkamp T., Hamdana G., Descoins M., Mangelinck D., Wasisto H., Peiner E., Bracht H. (2018) In: Journal of Applied Physics, 123(16). doi:10.1063/1.4996987 Forschungsartikel (Zeitschrift) \| Peer reviewed \| Veröffentlicht
Towards fabrication of 3D isotopically modulated vertical silicon nanowires in selective areas by nanosphere lithography Hamdana G., Südkamp T., Descoins M., Mangelinck D., Caccamo L., Bertke M., Wasisto H., Bracht H., Peiner E. (2017) In: Microelectronic Engineering, 179(null), 74-82. doi:10.1016/j.mee.2017.04.030 Forschungsartikel (Zeitschrift) \| Peer reviewed \| Veröffentlicht
Large-area fabrication of silicon nanostructures by templated nanoparticle arrays Hamdana G., Bertke M., Südkamp T., Bracht H., Wasisto H., Peiner E. (2017) In: (Hrsg.), . . Forschungsartikel in Sammelband (Konferenz) \| Peer reviewed \| Veröffentlicht
Vacancy-donor complexes in highly n-type Ge doped with As, P and Sb Kujala J., Südkamp T., Slotte J., Makkonen I., Tuomisto F., Bracht H. (2016) In: Journal of Physics: Condensed Matter, 28(33). doi:10.1088/0953-8984/28/33/335801 Forschungsartikel (Zeitschrift) \| Peer reviewed \| Veröffentlicht
Self-diffusion in crystalline silicon: A single diffusion activation enthalpy down to 755 C Südkamp T., Bracht H. (2016) In: Physical Review B - Condensed matter and materials physics, 94(12). doi:10.1103/PhysRevB.94.125208 Forschungsartikel (Zeitschrift) \| Peer reviewed \| Veröffentlicht
Response to "Comment on 'Diffusion of n-type dopants in germanium' " [Appl. Phys. Rev. 2, 036101 (2015)] In: . \| Peer reviewed
Doping dependence of self-diffusion in germanium and the charge states of vacancies In: . \| Peer reviewed